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DRV5013AGQDBZR

厂商名称：TI德州仪器

元件分类：霍尔效应锁存器

中文描述：

高电压（高达38V）、高带宽(30kHz)霍尔效应锁存器

英文描述：

2.5V to 38V Hall Effect Latch Sensor

数据手册：

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DRV5013AGQDBZR概述

DRV5013器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器，可提供磁检测解决方案（在工作温度范围内具有出色的灵敏度稳定性和集成保护特性）。

磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路(IC)配有一个灌电流能力达30mA的漏极开路输出级。该器件具有2.5V至38V的宽工作电压范围，反极性保护高达–22V，因此适用于各种工业应用。

针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流，提供了内部保护功能。

DRV5013AGQDBZR中文参数

制造商:Texas Instruments

产品种类: 霍尔效应锁存器

类型:Hall Effect Latch

工作电源电流:2.7 mA

最大输出电流:30 mA

工作点最小值/最大值:3 mT,9 mT

最小/最大释放点（Brp）:-9 mT,-3 mT

工作电源电压:38 V

最小工作温度:-40 C

最大工作温度:+125 C

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

系列:DRV5013

输出类型:Open Drain

电源电压-最大:38 V

电源电压-最小:2.5 V

DRV5013AGQDBZR引脚图